מספר מוצר של יצרן:
SPB21N10 G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPB21N10 G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12808471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPB21N10 G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 44µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
865 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SPB21N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB30NF10T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
971
DiGi מספר חלק
STB30NF10T4-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF540SPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2846
DiGi מספר חלק
IRF540SPBF-DG
מחיר ליחידה
0.90
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
